ⅢⅤ雪崩光电探测器低电压、波长延伸及量子倍增增强.pdf
本报告将介绍在InGaAsAPD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAsAPD,和采用量子点倍增增强结构的GaAsAPD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增吸收分离型结构，具有低工作电压、低击穿电压温度系数，高线性增益系数和高增益稳定性及阵列增益均匀性等优良特性，适合于进一步发展APD焦平面应用。波长延伸型器件在InP衬底上采用In0.75Ga0.25As赝配吸收层和In0.52Al0.48As晶格匹配倍增层，获得了截止波长为2.25μm的APD器件，77K下增益系数达22。证实了在赝配架构下延伸APD响应波长至中红外波段的可行性。倍增增强型器件则演示了采用InAs量子点倍增区实现对载流子雪崩几率的增强。报告中还将对APD器件的发展和应用趋势做出总结。
作者：马英杰张永刚顾溢陈星佑奚苏萍杜奔师艳辉纪婉嫣李爱珍
作者单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
母体文献：第十二届全国分子束外延学术会议论文集
会议名称：第十二届全国分子束外延学术会议
会议时间：2017年8月15日
会议地点：太原
主办单位：中国有色金属学会,中国电子学会
语种：chi
分类号：TP3TN2
关键词：雪崩光电探测器 电压控制 波长延伸 量子倍增
在线出版日期：2019年8月12日
基金项目：
相似文献
相关博文
- 文件大小:
- 398.89 KB
- 下载次数:
- 60
-
高速下载
|
|
