基于CNFET的高性能三值SRAMPUF电路设计

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通过对碳纳米管场效应晶体管(CarbonNanotubeFieldEffectTransistor,CNFET)和物理不可克隆函(PhysicalUnclonableFunctions,PUF)电路的研究,提出一种高性能三值SRAM-PUF电路结构.该电路结构首先利用交叉耦合三值反相器产生随机电流,并对其电流进行失配分析;然后结合三值SRAM单元的电流竞争得到随机的、不可克隆的三值输出信号“0”“1”和“2”.在32nmCNFET标准模型库下,采用HSPICE对所设计的三值SRAM-PUF电路进行MonteCarlo仿真,分析其随机性、唯一性等性能.模拟结果表明所设计的三值SRAM-PUF电路归一化随机性偏差和唯一性偏差均为0.03％,且与传统二值CMOS设计的PUF电路相比工作速度提高33％,激励响应对数量为原来的(1.5)n倍.
作者：汪鹏君龚道辉张会红康耀鹏
作者单位：宁波大学电路与系统研究所,浙江宁波315211
母体文献：宁波市第十届学术大会论文集
会议名称：宁波市第十届学术大会  
会议时间：2018年10月1日
会议地点：宁波
主办单位：宁波市科协
语种：chi
分类号：TP1G20
关键词：物理不可克隆函电路  碳纳米管场效应晶体管  三值反相器  随机性  唯一性
在线出版日期：2021年8月24日
基金项目：
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2024-12-3 19:45 上传 基于CNFET的高性能三值SRAMPUF电路设计.pdf

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