低温硫化制备ZnS薄膜的物理性质研究

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采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出ZnS薄膜.薄膜样品的微观结构、物相结构、表面形貌和光学性质分别采用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计进行表征.该ZnS薄膜在可见光范围具有约80％的高透光率,随着硫化时间的增加,其带隙由3.55增加到3.57eV,S/Zn原子比从0.54上升至0.89,薄膜质量明显得到改善,相对于以前报道的真空封装硫化所制备的ZnS薄膜,硫过量问题得到了较好解决.此外,慢正电子湮没多普勒展宽谱对硫化前后薄膜样品中膜层结构缺陷研究表明,硫化后薄膜的S参数明显增大,生成的ZnS薄膜结构缺陷浓度高于Zn薄膜.
作者：杨光 张仁刚 陈书真 柯进林 曹兴忠 张鹏 于润升 王宝义
作者单位：武汉科技大学理学院,武汉430081武汉科技大学理学院,武汉430081;中国科学院高能物理研究所,北京100049中国科学院高能物理研究所,北京100049
母体文献：第十七届全国核物理大会论文集
会议名称：第十七届全国核物理大会  
会议时间：2019年10月8日
会议地点：武汉
主办单位：中国核学会,中国物理学会
语种：chi
分类号：
关键词：硫化锌薄膜  低温硫化  磁控溅射  微观结构  物相结构  表面形貌  光学性质
在线出版日期：2022年9月21日
基金项目：
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2024-12-1 19:41 上传 低温硫化制备ZnS薄膜的物理性质研究.pdf

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