基于杂散电感分析的MOSFET模块布局结构设计的研究

金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)模块内部芯片布局及封装结构的不同引起的寄生电感分布的差异对模块的可靠性有直接的影响.为了减小模块内部的杂散电感,提高模块工作的可靠性,本文提出了三种符合要求的功率模块芯片布局结构,对比分析了功率模块内部三种芯片布局结构产生的环路寄生电感对开关过程的影响.结果表明通过不同的布局结构设计,可以实现减小杂散电感,提高模块工作可靠性的目的,为模块的封装提供参考.
作者：代茜 徐菊 郑利兵 靳鹏云
作者单位：中国科学院电工研究所北京100190;中国科学院大学北京100049中国科学院电工研究所北京100190
母体文献：第27届MICONEX2016科学仪器惠及民生系列分会场——2016年中国环境与安全监测技术研讨会论文集
会议名称：第27届MICONEX2016科学仪器惠及民生系列分会场——2016年中国环境与安全监测技术研讨会  
会议时间：2016年9月22日
会议地点：北京
主办单位：中国仪器仪表学会
语种：chi
分类号：
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管  功率模块  芯片布局  双脉冲测试  开关损耗  杂散参数
在线出版日期：2020年7月9日
基金项目：
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