Zr掺杂对CeO2111表面空位形成及电子结构的影响

文档摘要：利用VASP软件,采用第一性原理的DFT+U方法计算了Zr掺杂前后CeO2(111)表面结构、氧空位形成能以及电子结构的变化.研究表明:Zr掺杂中心附近,表层Ce,O原子发生较大弛豫,Zr的掺杂明显降低了CeO2(111)表面的氧空位形成能,表明对其态密度无明显的影响.Zr掺杂前后的还原体系态密度图均在靠近费密能级左侧出现1个间隙态,表明有Ce4+被还原为Ce3+.

作者：贾慧灵   邹春阳   吴锦绣   李梅 Author：JIAHuiling   ZOUChunyang   WUJinxiu   LIMei
作者单位：内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头,014010内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古包头,014010
刊名：内蒙古科技大学学报
Journal：JournalofInnerMongoliaUniversityofScienceandTechnology
年，卷(期)：2019, 38(2)
分类号：O411.2
关键词：Zr掺杂  氧空位  电子结构  态密度  
机标分类号：
在线出版日期：2019年7月19日
基金项目：内蒙古自治区自然科学基金资助项目Zr掺杂对CeO2(111)表面空位形成及电子结构的影响[
期刊论文]  内蒙古科技大学学报--2019, 38(2)贾慧灵  邹春阳  吴锦绣  李梅利用VASP软件,采用第一性原理的DFT+U方法计算了Zr掺杂前后CeO2(111)表面结构、氧空位形成能以及电子结构的变化.研究表明:Zr掺杂中心附近,表层Ce,O原子发生较大弛豫,Zr的掺杂明显降低了CeO2(111)表面的氧空位形成能,表明...参考文献和引证文献
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2024-10-3 23:25 上传 Zr掺杂对CeO2111表面空位形成及电子结构的影响.pdf

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