T_IAWBS 010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法

标准编号：T/IAWBS010—2019
中文标题：碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
英文标题：DetectionmethodformeasuringthesurfaceDetectionmethodformeasuringthesurfacequalityandmicropipedensityofpolishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers-LaserScatteringMethod
国际标准分类号：29.045
中国标准分类号：
国民经济分类：C398电子元件及电子专用材料制造
发布日期：2019年12月27日
实施日期：2019年12月31日
起草人：佘宗静、赵岩、杜莹莹、曹艳芳、刘丹、陆敏、郑红军、林健、王文军、林雪如、刘祎晨、陈鹏、韩超、张平、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有限公司、东莞天域半导体科技有限公司、江苏天科合达半导体有限公司、新疆天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、全球能源互联网研究院有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京）有限公司。
范围：本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的表面质量和微管密度的测试方法-激光散射测试法。本标准适应于4H及6H碳化硅单晶抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。
主要技术内容：随着SiC产业的发展，获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件，要求晶片晶格完整，具有平整度极高的无损伤超平滑表面，且无晶向偏差。因为即使表面存在微小缺陷，都会破坏晶体材料的表面性能，甚至导致结晶构造的变化，影响器件的电学性能。现行的测试方法主要是在漫反射条件下依据目测观察，而SiC单晶抛光片的表面存在着颗粒、划痕、凹坑等缺陷，依靠人为目测，会存在较大误差。本标准采用先进仪器，客观的表征SiC单晶抛光片表面的划痕、颗粒、凹坑等缺陷。

关键词：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟,T/IAWBS,电子元件及电子专用材料制造,微管,碳化硅,密度

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