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[电工] GBT 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分;晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

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admin 发表于 2024-9-25 22:39 | 查看全部 阅读模式
半导体器件分立器件第6部分;晶闸管第三篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
Semiconductordevices-Discretedevices-Part6:thyristors-Sectionthree-Blankdetailspecificationforreverseblockingtriodethyristors,ambientandcase-rated,forcurrentsgreaterthan100A

摘要:国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)遵循国际电工委员会的章程,在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序,即一个成员国按照符合适用规范要求所放行的电子元器件在其他所有成员国无需再试验同样为合格。本空白详细规范是半导体器件一系列空白详细规范的一个,应与下列国家标准一起使用。——GB/T4589.1—1989半导体器件分立器件和集成电路总规范。——GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范。

标准编号:GB/T13151-2005
标准类型:CP
发布单位:CN-GB
发布日期:2005年1月1日
强制性标准:否
实施日期:2005年1月1日
关键词:半导体整流器,三极管,详细规范,额定值,半导体闸流管,thyristors,detailspecification,ratings,triodes,semiconductorrectifiers,detailspecifications

GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分;晶闸管 第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范.pdf
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