低压熔断器第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求
Low-voltagefusesPart4:Supplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices
摘要:本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,熔断体的额定电压不超过交流1000V或标称电压不超过直流1500V。如果适用,还可以用于更高的标称电压的电路。注1:这种熔断体通常称为“半导体熔断体”。注2:在多数情况下,组合设备的一部分可用作熔断器底座。由于设备的多样性,难以作出一般的规定;组合设备是否适合作熔断器底座,应由用户与制造厂协商。但是,如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件,它们应符合GB13539.1的相关要求。
标准编号：GB/T13539.4-2005
标准类型：CP
发布单位：CN-GB
发布日期：2005年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2006年1月1日
关键词：电压电器,断路器,开关设备,熔断体,熔断器,fuse-links,circuitbreakers,electricfuses,switchgear,switchingequipment,fuses,disconnectors,circuit-breakers,switchgears
GB/T 13539.4-2005 低压熔断器 第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf
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