GBT 13539.4-2009 低压熔断器.第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求
Low-voltagefuses.Part4:Supplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices

摘要:除GB13539.1-2008规定外，补充下列要求。半导体设备保护用的熔断体应符合GB13539.1-2008的所有要求，下文中没有另外指明的，也应符合本部分规定的补充要求。本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000V或直流1500V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了:a)熔断体的下列特性:1)额定值；2)正常工作时的温升；3)耗散功率；4)时间-电流特性；5)分断能力；6)截断电流特性和It特性；7)电弧电压极限值。b)验证熔断体特性的型式试验；c)熔断体标志；d)应提供的技术数据(见附录B)。

标准编号：GB/T13539.4-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2009年1月1日
关键词：半导体,电气元件,导电体,低电压,熔断器,熔断体,电气保护设备,SEMICONDUCTORS,ELECTRICALCOMPONENTS,ELECTRICCONDUCTORS,LOWVOLTAGE,ELECTRICFUSES,FUSES,FUSE-LINKS,ELECTRICALPROTECTIONEQUIPMENT

GB/T 13539.4-2009 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf

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