在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2_6H-SiC异质结 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>本文介绍了在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2/6H-SiC异质结的研究。通过特定的沉积和退火工艺，成功实现了β-FeSi2薄膜在6H-SiC上的外延生长。研究分析了异质结的结构与光电特性，为开发新型光电器件提供了理论依据和技术支持。</p>文档为pdf格式，1.16MB，总共4页。</br>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202512/14/mlgkqbazhpf.webp" title="在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2_6H-SiC异质结 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议" alt="在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2_6H-SiC异质结 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议">
页:
[1]