降低开盒即用半绝缘InP单晶衬底表面残留硅浓度的方法 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>本文针对开盒即用半绝缘InP单晶衬底表面残留硅浓度高的问题，提出了一种有效的降低方法。通过优化化学机械抛光工艺和表面清洗流程，显著减少了表面硅杂质的残留。实验结果表明，该方法能有效提高InP衬底的电学性能和器件可靠性，对半导体器件制造具有重要指导意义。</p>文档为pdf格式，1.15MB，总共4页。</br>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202512/14/3x2x4f5cspl.webp" title="降低开盒即用半绝缘InP单晶衬底表面残留硅浓度的方法 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议" alt="降低开盒即用半绝缘InP单晶衬底表面残留硅浓度的方法 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议">
页:
[1]