InN纳米线的制备与表征 - 第十七届全国高技术陶瓷学术年会.pdf
<p>论文《InN纳米线的制备与表征》介绍了通过化学气相沉积法成功制备了InN纳米线，并对其结构和光学性质进行了系统表征。研究结果表明，所制备的InN纳米线具有良好的结晶性和优异的光致发光特性，为氮化铟在光电子器件中的应用提供了实验基础。</p>文档为pdf格式，1.16MB，总共4页。</br>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202512/14/hyrfq3k14c1.webp" title="InN纳米线的制备与表征 - 第十七届全国高技术陶瓷学术年会" alt="InN纳米线的制备与表征 - 第十七届全国高技术陶瓷学术年会">
页:
[1]