C_Si共掺杂AlN的电子结构分析 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《C_Si共掺杂AlN的电子结构分析》探讨了碳和硅共同掺杂对氮化铝电子结构的影响。通过理论计算，研究分析了掺杂后材料的能带结构、态密度及电荷分布变化。结果表明，C_Si共掺杂可有效调控AlN的电子特性，为优化半导体器件性能提供了理论依据。</p>文档为pdf格式，1.17MB，总共4页。</br>
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