具有pn结复合缓冲层的大功率AlGaN_GaN HEMTs器件研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf
<p>该论文介绍了具有pn结复合缓冲层的大功率AlGaN/GaN HEMTs器件的研究成果。通过引入pn结复合缓冲层，有效改善了器件的电学性能和热稳定性，提升了器件的击穿电压和工作电流。研究结果表明，该结构有助于降低漏电流，提高器件可靠性，为大功率电子器件的发展提供了新的思路和技术支持。</p>文档为pdf格式，1.12MB，总共4页。</br>
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