聚碳硅烷高温裂解原位生成SiC涂层研究 - 第十七届全国高技术陶瓷学术年会.pdf
<p>论文《聚碳硅烷高温裂解原位生成SiC涂层研究》发表于第十七届全国高技术陶瓷学术年会，主要探讨了通过聚碳硅烷高温裂解原位生成SiC涂层的工艺与性能。研究分析了不同热处理条件对涂层结构和性能的影响，为高性能陶瓷涂层的制备提供了理论依据和技术支持。</p>文档为pdf格式，1.11MB，总共3页。</br>
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