加压MOCVD法生长InN薄膜 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《加压MOCVD法生长InN薄膜》介绍了采用加压金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法制备氮化铟（InN）薄膜的研究。通过优化生长条件，如压力、温度和气体流量，提高了InN薄膜的质量和结晶性能。该研究对改善InN材料的光电特性具有重要意义，为光电器件和微波器件的应用提供了技术支持。</p>文档为pdf格式，1.1MB，总共3页。</br>
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