基于BCD工艺的高压LDMOS设计与研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf
<p>该论文介绍了基于BCD工艺的高压LDMOS器件的设计与研究，旨在提升功率器件的性能和可靠性。文章分析了LDMOS结构参数对器件特性的影响，优化了设计方法，并通过实验验证了其在高压应用中的优势。研究成果为高耐压功率集成电路的发展提供了理论支持和技术参考。</p>文档为pdf格式，1.09MB，总共3页。</br>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202512/14/u3hbxvurqhe.webp" title="基于BCD工艺的高压LDMOS设计与研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会" alt="基于BCD工艺的高压LDMOS设计与研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会">
页:
[1]