功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf
<p>该论文探讨了功率MOSFET在短路和过载情况下的 UIS（Unclamped Inductive Switching）能力，分析了影响其可靠性的关键因素，并提出了改善方法。通过实验与仿真结合的方式，研究了器件结构、工艺参数及工作条件对UIS性能的影响，为提高功率MOSFET的抗故障能力和系统稳定性提供了理论依据和技术支持。</p>文档为pdf格式，1.14MB，总共4页。</br>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202512/14/kg44ftkj2hq.webp" title="功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会" alt="功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会">
页:
[1]