Power GaN HEMT on Si Substrate with Al-Content Step-Graded AlGaN Transition Layers - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《Power GaN HEMT on Si Substrate with Al-Content Step-Graded AlGaN Transition Layers》介绍了在硅基上制备功率GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的研究。通过采用Al含量梯度变化的AlGaN过渡层，有效降低了外延层的缺陷密度，提高了器件性能。该研究为高性能、低成本的GaN功率器件提供了新的解决方案，具有重要的应用价值。</p>文档为pdf格式，1.11MB，总共4页。</br>
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