Ge衬底上MOCVD生长GaInP_InGaAs研究 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf
<p>论文《Ge衬底上MOCVD生长GaInP_InGaAs研究》探讨了在Ge衬底上通过MOCVD技术生长GaInP与InGaAs材料的工艺和性能。研究分析了生长条件对材料质量的影响，为高性能光电子器件提供了理论支持和技术参考。该成果对于发展高效能、低成本的半导体器件具有重要意义。</p>文档为pdf格式，1.07MB，总共5页。</br>
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