T_CASAS 037—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅.pdf
<h3>一、基本信息</h3><p>文档名称：T_CASAS 037—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅</p>
<p>文档格式：pdf格式</p>
<p>文档大小：0.67MB</p>
<p>总页数：60页</p>
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<h3>二、简介</h3>
<p>《T_CASAS 037—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅》是一项针对碳化硅功率器件的技术规范，旨在规范SiC MOSFET栅结构的设计与制造标准。该标准涵盖了栅极材料、工艺流程、性能指标及测试方法等内容，为提升SiC MOSFET的可靠性与一致性提供了技术依据。适用于电力电子领域中使用SiC MOSFET的设备设计与生产，有助于推动新一代高效、高耐压功率器件的发展。</p>
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<h3>三、预览</h3>
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