T_CASAS 043—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高.pdf
<h3>一、基本信息</h3><p>文档名称：T_CASAS 043—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高</p>
<p>文档格式：pdf格式</p>
<p>文档大小：0.59MB</p>
<p>总页数：48页</p>
</br>
<h3>二、简介</h3>
<p>《T_CASAS 043—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高》是一项针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的行业标准。该标准旨在规范SiC MOSFET产品的技术要求、测试方法及质量控制流程，以提升产品质量和可靠性。适用于电力电子领域中的高效能、高耐压器件设计与应用。标准内容涵盖材料特性、电气性能、热稳定性及封装要求等方面，为相关企业提供了统一的技术依据，推动了SiC器件在新能源、电动汽车及智能电网等领域的广泛应用。</p>
</br>
<h3>三、预览</h3>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202509/06/4io3v1gfpuz.webp" title="T_CASAS 043—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高" alt="T_CASAS 043—2024_碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高">
页:
[1]