超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术
文档名：超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术
摘要：高效、低损耗SiC晶片加工技术一直是各生产厂家积极研究的高端加工技术.主要研究了采用超快激光垂直改质SiC单晶材料的加工工艺,实现了晶体的切片,大幅提高材料利用率,降低衬底成本.
Abstract：Thehigh-efficiencyandlow-lossSiCwaferprocessingtechnologyhasalwaysbeenahigh-endprocessingtechnologyactivelyresearchedbyvariousmanufacturers.TheverticalmodificationprocessbyultrafastlaserofSiCsinglecrystalmaterialsisresearched,andthecrystalslicingisachievedisstudied,whichsignificantlyimprovematerialutilizationandreducesubstratecosts.
作者：张红梅胡北辰张志耀牛奔Author：ZHANGHongmeiHUBeichenZHANGZhiyaoNIUBen
作者单位：中国电子科技集团公司第二研究所,太原030024
刊名：电子工艺技术
Journal：ElectronicsProcessTechnology
年，卷(期)：2024, 45(3)
分类号：TN305
关键词：超快激光垂直改质SiC
Keywords：ultrafastlasersverticalupgradingsiliconcarbide
机标分类号：TG386TS2TN304.12
在线出版日期：2024年7月8日
基金项目：国家重点研发计划，科工局XX科研项目，山西省重大专项揭榜挂帅项目超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术[
期刊论文]电子工艺技术--2024, 45(3)张红梅胡北辰张志耀牛奔高效、低损耗SiC晶片加工技术一直是各生产厂家积极研究的高端加工技术.主要研究了采用超快激光垂直改质SiC单晶材料的加工工艺,实现了晶体的切片,大幅提高材料利用率,降低衬底成本.参考文献和引证文献
参考文献
引证文献
本文读者也读过
相似文献
相关博文
超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术Vertical Modification Process by Ultrafast Laser for SiC Single Crystal Materials
超快激光垂直改质SiC单晶材料的技术.pdf
页:
[1]