基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法
文档名：基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法
摘要：针对现有级联型多电平变换器器件多、损耗大、功率密度低等问题,该文提出一种基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器(HCMC)拓扑结构.HCMC由全SiIGBT器件的中性点钳位(NPC)型三电平单元与由SiIGBT、SiCMOSFET器件混合的级联H桥(CHB)单元串联构成.针对此拓扑提出一种特定的高低频混合调制策略,充分发挥SiCMOSFET开关损耗低、SiIGBT通态损耗低的优势,并对NPC单元直流侧电压和CHB单元子模块数进行优化设计.此外,为解决子模块电容电压不平衡问题,提出一种轮换均压控制策略.最后,在6kV系统无功补偿工况下进行仿真和实验,验证了HCMC拓扑结构和调制策略的可行性,并将HCMC和现有级联型多电平变换器进行综合对比,证明了所提拓扑在保证输出性能的条件下大大降低了运行损耗.
作者：任鹏涂春鸣侯玉超郭祺王鑫Author：RenPengTuChunmingHouYuchaoGuoQiWangXin
作者单位：国家电能变换与控制工程技术研究中心(湖南大学)长沙410082
刊名：电工技术学报 ISTICEIPKU
Journal：TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety
年，卷(期)：2023, 38(18)
分类号：TM464
关键词：混合多电平变换器SiIGBTSiCMOSFET混合调制电压平衡策略
Keywords：HybridmultilevelconverterSiIGBTSiCMOSFEThybridmodulationvoltagebalancingstrategy
机标分类号：TM464R758.63TM711
在线出版日期：2023年10月10日
基金项目：国家自然科学基金，湖南省科技领军人才计划项目基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器及其调控优化方法[
期刊论文]电工技术学报--2023, 38(18)任鹏涂春鸣侯玉超郭祺王鑫针对现有级联型多电平变换器器件多、损耗大、功率密度低等问题,该文提出一种基于Si和SiC器件的混合型级联多电平变换器(HCMC)拓扑结构.HCMC由全SiIGBT器件的中性点钳位(NPC)型三电平单元与由SiIGBT、SiCMOSFET器件混合...参考文献和引证文献
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