分压诱导的一维InxAl1_xN纳米材料的形貌及成分调变
文档名：分压诱导的一维InxAl1_xN纳米材料的形貌及成分调变
一维InAIN纳米材料在光电子领域具有广阔应用前景,但由于InN与AIN之间的巨大晶格失配,其合成和成分调变极具挑战.通过lnCI3、A1C13与NH3的化学气相沉积过程成功合成了三元InxAI,_xN一维纳米结构,增加InC13和AICI3的蒸气压之比可使其形貌经历从纳米锥到纳米柱、纳米刷、纳米锥的演变,其In含量在0～5at％之间调变.光致发光测试表明InxAI,_xN一维纳米材料具有优异的蓝光发射性能.
作者：杜玲玉吴强胡征
作者单位：南京大学化学化工学院
母体文献：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会论文集
会议名称：第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会
会议时间：2017年10月1日
会议地点：上海
主办单位：上海市真空学会,江苏省真空学会,安徽省真空学会,浙江省真空学会
语种：chi
分类号：TN3O4
关键词：一维纳米半导体氮化铟铝化学气相沉积分压匹配形貌调控成分调变蓝光发射性能
在线出版日期：2021年3月22日
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