镓铝砷850nm大功率红外LED芯片的研制 - 第十一届全国LED产业与技术研讨会.pdf

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2026-1-12 19:09 | 查看全部 阅读模式

会议论文《镓铝砷850nm大功率红外LED芯片的研制》介绍了针对850nm波长设计的大功率红外LED芯片的开发过程。该研究通过优化材料生长和器件结构,提升了芯片的发光效率与输出功率。论文详细阐述了芯片的制备工艺及性能测试结果,为红外照明和通信领域提供了新的技术方案。

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镓铝砷850nm大功率红外LED芯片的研制 - 第十一届全国LED产业与技术研讨会
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