考虑NBTI空穴俘获释放机制的组合逻辑门延迟预测 - 第八届全国测试学术会议.pdf

3 0
2026-1-10 08:11 | 查看全部 阅读模式

会议论文《考虑NBTI空穴俘获释放机制的组合逻辑门延迟预测》针对纳米尺度CMOS电路中NBTI效应导致的延迟变化问题,提出了一种基于空穴俘获与释放机制的组合逻辑门延迟预测模型。该研究通过分析NBTI对晶体管阈值电压的影响,结合电路动态行为,建立了更精确的延迟计算方法,为提高集成电路可靠性与性能评估提供了理论依据。

文档为pdf格式,1.37MB,总共6页。

考虑NBTI空穴俘获释放机制的组合逻辑门延迟预测 - 第八届全国测试学术会议
文件大小:
1.37 MB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1