会议论文《考虑NBTI空穴俘获释放机制的组合逻辑门延迟预测》针对纳米尺度CMOS电路中NBTI效应导致的延迟变化问题,提出了一种基于空穴俘获与释放机制的组合逻辑门延迟预测模型。该研究通过分析NBTI对晶体管阈值电压的影响,结合电路动态行为,建立了更精确的延迟计算方法,为提高集成电路可靠性与性能评估提供了理论依据。
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