GBT 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
Testingmethodforcrystallographicperfectionofsiliconbypreferentialetchtechniques

摘要:本标准规定了择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。本标准适用于晶向为、或、电阻率为10Ω•m～10Ω•m、位错密度在0cm～10cm之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。本方法也适用于硅单晶片。

标准编号：GB/T1554-2009
标准类型：
发布单位：CN-GB
发布日期：2009年1月1日
强制性标准：否
实施日期：2010年1月1日
关键词：晶体缺陷,腐蚀检查,晶体,硅,半导体,CRYSTALDEFECTS,ETCHINSPECTION,CRYSTALS,SILICON,SILICONE,SEMICONDUCTORS

GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法.pdf

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