面入射型InGaAs_InP单行载流子(UTC)高频探测器 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《面入射型InGaAs_InP单行载流子(UTC)高频探测器》介绍了基于InGaAs/InP材料的面入射型单行载流子探测器结构。该器件通过优化设计，实现了高频响应和高灵敏度，适用于光通信和微波检测领域。研究展示了其在高速光电转换中的性能优势，为高性能光电器件的发展提供了新思路。</p>文档为pdf格式，1.17MB，总共4页。</br>
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