基于InAlN_GaN共振遂穿二极管的负阻特性研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>本文研究了基于InAlN/GaN的共振遂穿二极管的负阻特性。通过理论分析与实验测试，探讨了材料结构对器件电学性能的影响，重点分析了其在高频和高功率应用中的潜力。结果表明，该器件表现出显著的负阻效应，为未来高性能微波器件的发展提供了新思路。</p>文档为pdf格式，1.18MB，总共4页。</br>
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