带刻蚀型JTE的4H-SiC JBS二极管的研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf
<p>论文《带刻蚀型JTE的4H-SiC JBS二极管的研究》探讨了基于4H-SiC材料的结终端扩展（JTE）结构在JBS二极管中的应用。通过引入刻蚀型JTE结构，有效提高了器件的击穿电压和可靠性。研究分析了结构参数对电场分布的影响，并优化了工艺流程，为高性能SiC功率器件的发展提供了理论依据和技术支持。</p>文档为pdf格式，1.15MB，总共4页。</br>
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