InGaN太阳能电池的研制 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>本文介绍了InGaN太阳能电池的研制过程，探讨了其在光电器件中的应用潜力。通过优化材料生长和结构设计，提升了器件的光电转换效率。研究结果表明，InGaN材料具有良好的吸收特性，适用于高效太阳能电池的开发。该工作为下一代光电器件提供了新的思路和技术支持。</p>文档为pdf格式，1.16MB，总共4页。</br>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202512/14/azeortltd1y.webp" title="InGaN太阳能电池的研制 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议" alt="InGaN太阳能电池的研制 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议">
页:
[1]