MOCVD生长室温连续激射InAs_InGaAsP_InP量子点激光器 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《MOCVD生长室温连续激射InAs_InGaAsP_InP量子点激光器》介绍了通过MOCVD技术制备的室温连续激射量子点激光器。该研究采用InAs/InGaAsP/InP结构，优化了生长参数，实现了高效稳定的光发射。实验结果表明，该激光器在室温下可实现连续激射，具有良好的性能和应用前景。</p>文档为pdf格式，1.15MB，总共4页。</br>
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