PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究》介绍了通过等离子体增强化学气相沉积技术改善SiO2薄膜致密性的方法。研究分析了工艺参数对薄膜结构和性能的影响，提出了优化方案以提升薄膜的致密性和均匀性，为半导体器件的制备提供了理论支持和技术参考。</p>文档为pdf格式，1.17MB，总共4页。</br>
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