p-NiO_n-GaN发光二极管光电特性的研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《p-NiO_n-GaN发光二极管光电特性的研究》探讨了基于p-NiO和n-GaN材料的发光二极管的光电性能。通过实验分析了器件的电流-电压特性、发光效率及光谱特性，揭示了p-NiO作为p型半导体在GaN基LED中的应用潜力，为新型光电器件的发展提供了理论依据和技术支持。</p>文档为pdf格式，1.14MB，总共4页。</br>
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