4H-SiC中Vc缺陷的第一性原理研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>本文通过第一性原理方法研究了4H-SiC中的Vc缺陷。分析了Vc缺陷的结构特性及其对材料电子性质的影响，揭示了其在半导体器件性能中的作用机制。研究结果为优化4H-SiC器件设计和提高器件可靠性提供了理论依据。</p>文档为pdf格式，1.15MB，总共4页。</br>
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