AlGaN_AlN_GaN_AlN_AlGaN双异质HEMT结构电子限制特性研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>该论文研究了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质结构在HEMT器件中的电子限制特性。通过分析不同层结构对二维电子气的影响，探讨了其在高频和高功率应用中的潜力。研究结果为优化器件性能提供了理论依据和技术支持。</p>文档为pdf格式，1.16MB，总共4页。</br>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202512/14/cg4ffiaig0c.webp" title="AlGaN_AlN_GaN_AlN_AlGaN双异质HEMT结构电子限制特性研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议" alt="AlGaN_AlN_GaN_AlN_AlGaN双异质HEMT结构电子限制特性研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议">
页:
[1]