一种抗MBU的加固SRAM存储单元设计 - 全国抗恶劣环境计算机第二十二届学术年会.pdf
<p>本文介绍了一种抗MBU（多点位翻转）的加固SRAM存储单元设计。针对空间辐射环境中的单粒子效应，该设计通过优化电路结构和引入冗余机制，有效提高了SRAM的抗干扰能力。实验结果表明，该存储单元在抗MBU性能上显著优于传统结构，适用于高可靠性的航天和军事电子系统。</p>文档为pdf格式，1.14MB，总共4页。</br>
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