一种新的MOS管抗总剂量辐射加固措施 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf
<p>该论文介绍了针对MOS管在总剂量辐射环境下性能退化的问题，提出了一种新的抗辐射加固措施。通过优化器件结构和材料选择，有效提高了MOS管的抗辐射能力。研究结果表明，该方法能显著降低辐射引起的阈值电压漂移，提升器件的可靠性。该成果对高辐射环境下的电子系统设计具有重要参考价值。</p>文档为pdf格式，1.1MB，总共3页。</br>
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