碳膜对于Al+注入4H-SiC (0001)高温退火效果的研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>本文研究了碳膜对Al+注入4H-SiC (0001)在高温退火后的效果。通过实验分析，探讨了碳膜在退火过程中的作用及其对材料性能的影响。结果表明，碳膜有助于改善注入层的结晶质量和电学特性，为4H-SiC器件的优化提供了理论依据和技术支持。</p>文档为pdf格式，1.09MB，总共3页。</br>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202512/14/fkjbkcjgwel.webp" title="碳膜对于Al+注入4H-SiC (0001)高温退火效果的研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议" alt="碳膜对于Al+注入4H-SiC (0001)高温退火效果的研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议">
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