图形衬底上InGaN_GaN多量子阱太阳能电池生长和研制 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《图形衬底上InGaN_GaN多量子阱太阳能电池生长和研制》介绍了基于图形衬底技术制备InGaN/GaN多量子阱结构的太阳能电池。通过优化生长条件，提高了材料质量与光吸收效率。研究探讨了器件结构设计与性能优化，为高效氮化物太阳能电池的发展提供了新思路。</p>文档为pdf格式，1.11MB，总共5页。</br>
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