抗辐照MOSFET 3D TCAD仿真 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf
<p>该论文介绍了抗辐照MOSFET的3D TCAD仿真研究，针对辐射环境下半导体器件的性能变化进行了深入分析。通过三维仿真技术，研究了不同辐射剂量对MOSFET电学特性的影响，提出了提高器件抗辐照能力的优化设计方法。该研究为高可靠性电子系统在辐射环境中的应用提供了理论支持和技术参考。</p>文档为pdf格式，1.09MB，总共3页。</br>
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