基于AlGaN_GaN异质结构的肖特基整流器制备及其特性 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>本文介绍了基于AlGaN/GaN异质结构的肖特基整流器的制备与特性研究。通过优化材料生长和器件结构设计，提升了整流器的性能。实验结果表明，该器件具有较低的正向电压和较高的反向击穿电压，展现出良好的电学特性。研究为高性能功率电子器件的发展提供了理论支持和实践参考。</p>文档为pdf格式，1.09MB，总共3页。</br>
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