堆栈NMOS器件性能的研究 - 四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会.pdf
<p>该论文发表于四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会，主要研究堆栈NMOS器件的性能。文章分析了堆栈结构对器件电学特性的影响，探讨了其在提升器件性能方面的潜力。研究结果为新型半导体器件的设计与优化提供了理论依据和技术参考。</p>文档为pdf格式，1.12MB，总共4页。</br>
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