改善晶片“塌边”现象的研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《改善晶片“塌边”现象的研究》针对半导体制造过程中出现的晶片塌边问题进行了深入探讨。通过分析塌边产生的原因，提出了一系列改进措施，包括优化切割工艺和调整材料特性。研究结果表明，这些方法有效减少了塌边现象，提高了晶片的质量和良率，对提升化合物半导体器件的性能具有重要意义。</p>文档为pdf格式，1.08MB，总共3页。</br>
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