3英寸InAs单晶生长及衬底制备 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《3英寸InAs单晶生长及衬底制备》介绍了采用液封直拉法（LEC）生长3英寸InAs单晶的过程，分析了晶体生长参数对晶体质量的影响。研究还涉及衬底的切割、抛光及表面处理工艺，为高性能光电器件和微波器件提供了优质的材料基础。该成果对推动化合物半导体器件的发展具有重要意义。</p>文档为pdf格式，1.1MB，总共3页。</br>
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