单晶Tm2O3薄膜的制备与F-N隧穿机制 - 第十三届全国固体薄膜学术会议.pdf
<p>论文《单晶Tm2O3薄膜的制备与F-N隧穿机制》介绍了通过特定方法制备高质量单晶Tm2O3薄膜的过程，并研究了其在电场作用下的F-N隧穿特性。该研究对理解稀土氧化物在纳米电子器件中的应用具有重要意义，为新型半导体材料的开发提供了理论依据和技术支持。</p>文档为pdf格式，0.98MB，总共4页。</br>
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