高质量半绝缘GaN生长研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>论文《高质量半绝缘GaN生长研究》发表于第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议，主要探讨了半绝缘氮化镓（GaN）的高质量生长技术。文章分析了生长条件对材料性能的影响，提出了优化方案以提升晶体质量与电学特性，为高性能微波器件和光电器件的发展提供了理论支持与实验依据。</p>文档为pdf格式，0.06MB，总共1页。</br>
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