高电子迁移率InN的分子束外延生长及其掺杂研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf
<p>本文介绍了高电子迁移率InN的分子束外延生长及其掺杂研究，旨在提升InN材料的电学性能。通过优化生长条件，实现了高质量InN薄膜的制备，并探讨了不同掺杂元素对材料特性的影响。研究结果为高性能光电器件和微波器件提供了理论支持和技术基础，具有重要的应用价值。</p>文档为pdf格式，0.09MB，总共2页。</br>
<img src="https://d.z3060.com/docthumbnail/202512/14/vhzvze1w5ma.webp" title="高电子迁移率InN的分子束外延生长及其掺杂研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议" alt="高电子迁移率InN的分子束外延生长及其掺杂研究 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议">
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