铸造准单晶硅中的位错及其对硅太阳电池的影响 - 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12).pdf
<p>该论文介绍了铸造准单晶硅中的位错及其对硅太阳电池性能的影响。通过分析位错的形成机制和分布特征，探讨了其对电池效率和可靠性的影响。研究结果表明，位错会降低载流子寿命，影响电池的电学性能。文章为优化铸造准单晶硅材料质量提供了理论依据和技术参考。</p>文档为pdf格式，0.67MB，总共4页。</br>
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